强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物生长行为

• 作者: 尹德国 朱凤 王来 赵杰
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属间化合物层 强磁场 抛物线规律 生长速率
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、机械工程
• 页码范围: 202-206
• 页数: 5页
• 分类号: TG425.1
• 字数: 3324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2006.02.011

摘要

研究了3 T和8 T强磁场作用下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu焊接接头界面金属间化合物在170℃时效过程中的生长行为.结果表明:强磁场作用下界面金属间化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加,且呈抛物线规律;随着磁场强度的增大,Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物的生长速度加快.分析认为强磁场的存在加快了原子的运动,提高了原子的扩散系数,从而加快了界面金属间化合物层的生长速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王来	大连理工大学材料科学与工程学院	76	914	15.0	27.0
2	赵杰	大连理工大学材料科学与工程学院	171	1184	17.0	27.0
3	朱凤	大连理工大学材料科学与工程学院	3	28	2.0	3.0
4	尹德国	大连理工大学材料科学与工程学院	1	17	1.0	1.0