La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响

• 作者: 任鸣放 王华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 铁电薄膜 BLT 微观结构 性能
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TM22
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.10.006

摘要

采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4-xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响.结果表明,600～650 ℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长; La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10-2,4 V偏压下薄膜的漏电流密度低于10-8 A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10-6 C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103 V/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0
2	任鸣放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	10	74	4.0	8.0