沉积温度对电子束蒸发HfO2薄膜残余应力的影响

• 作者: 申雁鸣 范正修 贺洪波 邵淑英
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 HfO2薄膜 残余应力 沉积温度 基底 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 827-831
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.06.024

摘要

采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律.利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力.结果发现在所考察的实验条件下HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小.两种基底上薄膜的残余应力的主要产生机制不同.对于BK7玻璃基底HfO2薄膜的残余应力起决定作用的是内应力,熔融石英基底上HfO2薄膜的残余应力在较低沉积温度下制备的薄膜起决定作用的是热应力,在沉积温度进一步升高后内应力开始起决定作用.通过对样品的X射线衍射(XRD)测试,发现在所考察的温度范围内,HfO2薄膜的结构发生了晶态转换,这一结构转变与薄膜残余应力的变化相对应.两种基底上薄膜微结构的演变及基底性能差异是两种基底上薄膜应力不同的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
2	贺洪波	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	491	16.0	19.0
3	申雁鸣	中国科学院上海光学精密机械研究所	6	95	5.0	6.0
7	邵淑英	中国科学院上海光学精密机械研究所	18	309	9.0	17.0