射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

• 作者: 卢肖 吴传贵 张万里 李言荣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BST薄膜 介电击穿 漏电流
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2513-2517
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.067

摘要

采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态--初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	吴传贵	电子科技大学微电子与固体电子学院	27	96	5.0	8.0
4	卢肖	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	20	2.0	2.0