90 nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究

• 作者: 刘明 张庆钊 朱效立 李兵 谢常青 马杰
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 90 nm 硅栅 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.98+2
• 字数: 1614字
• 语种: 中文

摘要

进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要.重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	李兵	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	79	708	16.0	24.0
3	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
4	朱效立	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	19	86	6.0	8.0
5	张庆钊	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	5	13	2.0	3.0