应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

• 作者: 吴靓臻 唐吉玉 孔蕴婷 文于华 赵传阵
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅锗合金 少数载流子 低温特性 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 2080字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.013

摘要

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院	39	90	5.0	7.0
2	赵传阵	华南师范大学物理与电信工程学院	4	5	2.0	2.0
3	文于华	华南师范大学物理与电信工程学院	8	25	3.0	4.0
4	吴靓臻	华南师范大学物理与电信工程学院	5	20	2.0	4.0
5	孔蕴婷	华南师范大学物理与电信工程学院	5	20	2.0	4.0