硅/玻璃键合技术在RF-MEMS开关制作中的应用

• 作者: 于映 彭慧耀 王培森 罗仲梓
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅/玻璃键合 电流特性 电荷分布 Al台阶 RF-MEMS开关
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.01.007

摘要

介绍了一种新的RF-MEMS开关制作工艺,利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合;说明了如何在普通环境下进行图形对准;通过静电力的理论计算和键合试验,分析了铝台阶对硅/玻璃静电键合的影响,得出铝台阶厚度低于100 nm时键合效果较好;对有无铝台阶时的静电键合电流特性进行比较,分析了硅/玻璃界面电荷分布及其运动情况,为RF-MEMS开关的设计与制作提供了有意义的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗仲梓	厦门大学萨本栋微机电研究中心	15	225	7.0	15.0
2	于映	福州大学物理与信息工程学院	36	343	8.0	17.0
3	彭慧耀	福州大学物理与信息工程学院	2	10	2.0	2.0
4	王培森	福州大学物理与信息工程学院	2	10	2.0	2.0