部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

• 作者: 俞文杰 张正选 王茹 田浩 贺威 钱聪 陈明
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 绝缘体上的硅 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 探测器与实验方法
• 页码范围: 819-822
• 页数: 4页
• 分类号: O57
• 字数: 386字
• 语种: 中文

摘要

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立,它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程.模拟结果与实验结果相符,解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈明	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	53	296	7.0	16.0
2	田浩	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	10	33	3.0	5.0
3	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0
4	贺威	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	5	9	2.0	2.0
5	钱聪	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	8	2.0	2.0
6	俞文杰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	3	1.0	1.0
7	王茹	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	0	0.0	0.0