栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

• 作者: 李梅芝 陈星弼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅压 温度 功率密度
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1256-1261
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.018

摘要

研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈星弼	电子科技大学微电子与固体电子学院	31	254	8.0	15.0
2	李梅芝	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	16	2.0	4.0