浅谈CMOS集成电路的IDDQ测试

• 作者: 张浩 张磊 王忆
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: IDDQ测试 缺陷 故障 可靠性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 18-19
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2007.04.007

摘要

介绍了IDDQ测试的基本原理和主要测试方法,CMOS IC本质上是电流可测试的,IDDQ测试可有效地提高产品质量,降低芯片生产价格,并且它对失效响应分析(FEA)是非常有用的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王忆		18	25	3.0	4.0
2	张磊	中国电子科技集团公司第四十七研究所	46	76	4.0	7.0
3	张浩		1	2	1.0	1.0