缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响

• 作者: 戴江南 方文卿 李冬梅 李璠 江风益 王立 蒲勇
• 来源期刊: 南昌大学学报（理科版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 缓冲层 Ti/Si模板 MOCVD
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 181-185
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-0464.2007.02.022

摘要

采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜.分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光.