含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究

• 作者: 周昕
• 来源期刊: 株洲师范高等专科学校学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟化非晶碳薄膜 氮掺杂 介电常数
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4

摘要

用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周昕	湖南工业大学师专校区物理与电子工程系	19	29	3.0	4.0