ITO薄膜厚度和含氧量对其结构与性能的影响

• 作者: 林钰 辛荣生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 ITO膜 氧氩流量比 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.07.007

摘要

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况.以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70 nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10-4 Ω·cm,可见光透光率达80 %以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林钰	河南教育学院化学系	34	267	9.0	15.0
2	辛荣生	郑州大学材料科学与工程学院	27	246	9.0	14.0