磁控溅射再硒化法制备Cu（In，Al）Se2薄膜

• 作者: 孟飞 张谷一 朱洁
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 地球科学
• 关键词: Cu-In-Al合金膜 硒化 Cu(In A1)Se2薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 53-54
• 页数: 2页
• 分类号: X52

摘要

本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜，然后固态源硒化制成Cu（In，Al）Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分，SEM观察薄膜的表面形貌，XRD表征薄膜的组织结构。结果表明，由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu（In，Al）Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构，且随着Al含量的增加，晶面间距减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洁	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	26	219	9.0	13.0
2	孟飞	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	11	168	6.0	11.0
3	张谷一	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0