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摘要:
探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响.结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充,同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下,增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度,有助于反opal结构的形成.
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文献信息
篇名 硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 三维光子晶体 反蛋白石结构 Si凹槽 直角波导
年,卷(期) 2007,(6) 所属期刊栏目 器件制造与应用
研究方向 页码范围 481-485
页数 5页 分类号 TN304.055
字数 3242字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.06.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 韩喻 国防科学技术大学材料工程与应用化学系 20 190 7.0 13.0
2 谢凯 国防科学技术大学材料工程与应用化学系 56 590 12.0 22.0
3 许静 国防科学技术大学材料工程与应用化学系 18 78 5.0 8.0
4 李宇杰 国防科学技术大学材料工程与应用化学系 16 75 5.0 7.0
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三维光子晶体
反蛋白石结构
Si凹槽
直角波导
研究起点
研究来源
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
chi
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