双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究

• 作者: 吴旭明 周代兵 王晓东 谭满清 赵妙
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 介质光学膜 致密性 双源电子束蒸发 折射率 蒸发速率
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2007.01.011

摘要

采用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2得到的混合膜层,折射率不仅可调,而且比Si膜要高.用原子力显微镜(AFM)分别对单纯镀的Si膜与双源电子束蒸发镀的Si/SiO2混合膜层的表面形貌进行了观测,结果表明,前者表面疏松,有明显的孔洞结构;后者膜层表面细密.采用双源蒸发的成膜理论,对该方法提高膜层致密性的原因进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所	198	1467	19.0	28.0
2	谭满清	中国科学院半导体研究所	24	136	8.0	10.0
3	吴旭明	中国科学院半导体研究所	9	50	3.0	6.0
4	赵妙	中国科学院半导体研究所	5	20	3.0	4.0
5	周代兵	中国科学院半导体研究所	4	18	2.0	4.0