SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究

• 作者: 刘丽娟 林璇英 罗以琳 黄锐
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 电导率 低温 晶化率
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 876-878
• 页数: 3页
• 分类号: O484.3
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.06.005

摘要

对用SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究.实验结果表明,多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度,在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性.对多晶硅薄膜,其导电特性还与晶化率有关,晶化率越大电导率越大.测量数据表明,低晶化率薄膜电输运主要由电子热发射跃过势垒所贡献,但对于高晶化率的薄膜要同时考虑电子隧穿对电导的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	刘丽娟	汕头大学物理系	4	5	1.0	2.0
3	罗以琳	汕头大学物理系	5	11	2.0	3.0