高k值HfO2栅介质材料电学特性的研究进展

• 作者: 张弘 彭英才 田书凤 范志东
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数 HfO2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TM2
• 字数: 4936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.01.006

摘要

随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料.介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	范志东	河北大学电子信息工程学院	14	41	4.0	6.0
6	张弘	河北大学电子信息工程学院	4	12	2.0	3.0
7	田书凤	河北大学电子信息工程学院	2	10	1.0	2.0