衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响

• 作者: 严辉 兰伟 张铭 王印月 王波 董国波
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Cu-Al-O薄膜 衬底温度 透过率 电导率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 921-924
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN305.92
• 字数: 2535字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z1.260

摘要

使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院	80	638	11.0	23.0
3	王印月	兰州大学物理科学与技术学院	39	567	15.0	23.0
4	张铭	北京工业大学材料科学与工程学院	44	107	6.0	8.0
5	董国波	北京工业大学材料科学与工程学院	6	51	5.0	6.0
6	兰伟	兰州大学物理科学与技术学院	3	38	3.0	3.0