锗晶片化学机械抛光的条件分析

• 作者: 刘春香 吕菲 杨洪星 赵权
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 抛光 锗晶片 机理分析
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2008.01.022

摘要

在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲		24	88	6.0	8.0
2	赵权		30	136	6.0	9.0
3	杨洪星		50	145	6.0	8.0
4	刘春香		18	79	5.0	7.0