射频磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜的退火性质分析

• 作者: 吕珺 吴玉程 徐光青 汪冬梅 郑治祥
• 来源期刊: 金属功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZAO薄膜 退火处理 结晶性能 透光率 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN304O484
• 字数: 3439字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对所制备的薄膜在纯氩气氛中进行了400℃、1h和2h的退火处理,将前者再于空气中相同温度下退火1h.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率为2.59Ω·cm,可见光区透过率约70%.400℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力有所减小;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到将近80%;薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ω·cm降低到1.37Ω·cm.400℃纯Ar气氛中退火2h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为75%和14.7Ω·cm.400℃纯氩气氛中退火1h再经过空气中退火1h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为80%左右和0.69Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
2	徐光青	合肥工业大学材料科学与工程学院	54	383	10.0	16.0
3	郑治祥	合肥工业大学材料科学与工程学院	157	2008	24.0	36.0
4	吕珺	合肥工业大学材料科学与工程学院	55	567	13.0	21.0
5	汪冬梅	合肥工业大学材料科学与工程学院	21	204	9.0	13.0