Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析

• 作者: 刘春香 吕菲 杨洪星 秦学敏 赵权 赵秀玲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学腐蚀 光洁度 粗糙度 几何参数
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1077-1079
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.008

摘要

对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析.比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响.并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	秦学敏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	11	2.0	3.0
4	赵秀玲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	23	2.0	3.0
5	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
6	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0