4H-SiC MESFET结构与直流特性研究

• 作者: 张娟 徐俊平 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC金属外延半导体场效应晶体管 凹栅 埋栅 表面陷阱
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 12-14,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3|TN386
• 字数: 1840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.01.004

摘要

运用二维器件模拟器ISE TCAD对4H-SiC MESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响.与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiC MESFET器件的输出功率起到一定的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子学院	25	131	7.0	10.0
3	张娟	西安电子科技大学微电子学院	32	285	10.0	15.0
4	徐俊平	西安电子科技大学微电子学院	2	5	2.0	2.0