埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验

• 作者: 亢宝位 吴郁 田波 胡冬青 韩峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽栅双极模式JFET 埋氧沟槽栅双极模式JFET 埋氧 栅漏电容 开关功率损耗
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1860-1863
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.002

摘要

提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和现在正在广泛应用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较,得到有重要意义的结论.采用阻性负载电路.仿真结果表明,与T-MOSFET和常开型TB-JFET相比,常开型BTB-JFET在1MHz时开关功耗分别降低了37%和14%.进行实验以证明仿真上作的合理性,首次成功地制造出常开型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧结构是通过热氧化的方法实现的.实验结果表明,与TB-JFET相比,在源漏零偏压时,BTB-JFET的Cgd减小了45%;在1MHz时,其开关时时与开关功耗分别降低了约7.4%和11%.因此常开型BTB-JFET应是今后低压高频功率开关器件的研究发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁		38	215	9.0	13.0
2	亢宝位		28	291	10.0	16.0
3	胡冬青		27	114	7.0	9.0
4	韩峰		5	2	1.0	1.0
5	田波		7	40	2.0	6.0