铜布线化学机械抛光的失效研究

• 作者: 周国安 柳滨 王学军 种宝春
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 化学机械平坦化 钽 碟形缺陷 侵蚀
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 制造工艺与设备
• 页码范围: 43-45,55
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2008.10.007

摘要

分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程:在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性.分析100 μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大.整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大.最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大.