Ge/Si纳米多层膜的埋层调制结晶研究

• 作者: 孔令德 杨宇 杨瑞东 王茺 邓荣斌 陈寒娴 陶东平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge/Si纳米多层膜 埋层 纳米晶粒
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 328-330,333
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.02.043

摘要

采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学材料科学与工程系	50	148	7.0	8.0
3	陶东平	昆明理工大学材料与冶金工程学院	42	223	8.0	14.0
4	陈寒娴	云南大学材料科学与工程系	5	11	2.0	3.0
5	邓荣斌	云南大学材料科学与工程系	6	19	3.0	4.0
6	孔令德	云南大学材料科学与工程系	4	18	3.0	4.0