DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料

• 作者: 时文华 王启明 罗丽萍 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si Ge 纳米岛 岛 X射线
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 145-148
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.001

摘要

结合透射电镜与原子力显微镜实验,用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料.衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰,它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区.利用透射电镜得到Si和SiGe层的厚度比,估算出浸润层区与岛区的Ge组分分别为0.51和0.67.这是一种简单估算Ge/Si多层纳米岛材料中Ge组分的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	24	77	6.0	7.0
3	罗丽萍	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	7	6	1.0	2.0
4	时文华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	8	17	2.0	4.0