退火对N离子注入ZnO:Al薄膜性能的影响

• 作者: 向霞 毛飞燕 祖小涛 薛书文 袁兆林 邓宏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 离子注入 退火 光致发光 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 212-216
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2990字
• 语种: 中文

摘要

利用溶胶-凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了Al/Zn原子比为1%的ZnO:Al薄膜,将能量56keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,样品在500～900℃氮气气氛中退火,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响.结果显示,在800℃以下退火,随退火温度提高,薄膜结晶性能逐渐变好;在600℃以上退火,随退火温度提高,紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强;600℃退火时,样品的电阻率仅为83Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖小涛	电子科技大学物理电子学院	111	627	12.0	17.0
3	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
4	向霞	电子科技大学物理电子学院	27	116	6.0	9.0
5	薛书文	电子科技大学物理电子学院	10	80	5.0	8.0
6	袁兆林	电子科技大学物理电子学院	6	16	3.0	4.0
9	毛飞燕	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	0	0.0	0.0