VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究

• 作者: 孙建 尚泽仁 张丽萍 张建军 耿新华 胡增鑫 薛俊明 赵颖
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: P型微晶锗硅 VHF-PECVD 窗口层 太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1060-1062
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4|TM914.4
• 字数: 2462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.08.015

摘要

以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜.研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响.随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗.