2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

• 作者: 王志亮 郭方敏 黄静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器 低噪声读出电路 电容反馈互阻放大器
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1041-1043
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.7O431
• 字数: 1785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.026

摘要

对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析.以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计.电路采用0.6 μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄静	华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室	63	532	10.0	21.0
3	郭方敏	华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室	14	47	4.0	6.0
6	王志亮	南通大学电子信息学院	22	39	3.0	5.0