温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响

• 作者: 刘必慰 梁斌 陈书明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 混合模拟 DSET 超深亚微米 辐射
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1407-1411
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.037

摘要

利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对 DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV·cm2/mg的条件下,当温度从-55℃升高到125℃时, DSET脉冲宽度约增加了58.8%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
2	刘必慰	国防科技大学计算机学院	17	101	6.0	9.0
3	梁斌	国防科技大学计算机学院	17	102	6.0	9.0