薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

• 作者: 张苗 林成鲁 王曦 王湘 陈猛 陈静 魏星
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜厚埋层SOI材料 注氧键合技术 剖面透射电镜
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1350-1353
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.024

摘要

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.