不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响

• 作者: 刘国军 张保顺 李林 李美成 熊丽 赵连城 邱永鑫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 GaSb 缓冲层 厚度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1635-1637
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.10.014

摘要

采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城	哈尔滨工业大学材料学院	107	1153	16.0	29.0
2	李美成	哈尔滨工业大学材料学院	29	200	8.0	13.0
3	刘国军	长春理工大学材料学院	62	303	9.0	14.0
4	邱永鑫	哈尔滨工业大学材料学院	6	28	3.0	5.0
5	李林	长春理工大学材料学院	30	177	8.0	12.0
6	张保顺	长春理工大学材料学院	3	12	2.0	3.0