室温下Cu/3C-SiC(111)界面形成的研究

• 作者: 刘忠良 刘衍芳 刘金锋 徐彭寿 徐法强 李亮 潘海斌
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu 3C-SiC 界面 肖特基势垒 同步辐射光电子能谱
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.1|O484.1
• 字数: 3251字
• 语种: 中文

摘要

用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了室温下Cu/3C-SiC (111) 界面的形成.在超高真空下,Cu慢慢沉积到2ML.Cu2p3/2用XPS测得,结合能从沉积0.08ML时的933.1eV移动到沉积2ML的932.8eV,Si2p用同步辐射光测得,峰位从未沉积时的43.55eV移动到沉积2ML的43.87eV,峰形状未发生变化,表明Cu与衬底之间没有发生化学反应,薄膜的生长开始为二维生长,超过0.1ML时变为三维生长,SiC的表面有表面态存在,当沉积少量的Cu时,表面态消失.随着Cu的沉积价带(VB)发生弯曲,肖特基势垒高度增加,在沉积2ML Cu时肖特基势垒变为1.2eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	潘海斌	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	26	230	5.0	15.0
3	徐法强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	370	7.0	18.0
4	李亮	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	59	422	10.0	19.0
5	刘忠良	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	101	6.0	9.0
6	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0
7	刘衍芳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	2	1	1.0	1.0