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摘要:
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能.介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证.由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景.
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文献信息
篇名 化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 分光光度法 Forouhi-Bloomer离散方程 铝镓氦 组分分析
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 封装、测试与设备
研究方向 页码范围 351-354
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 2828字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.014
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作者信息
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1 郝茂盛 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
分光光度法
Forouhi-Bloomer离散方程
铝镓氦
组分分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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