掺杂GaN的湿法刻蚀研究

• 作者: 姚光锐 李军 杨昊 胡胜蓝 范广涵
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: p型氮化镓 n型氮化镓 湿法刻蚀 紫外光增强 机理 应用
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 621-626,635
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.23|TN305.2
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.10.009

摘要

对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结,回顾了不同的湿法刻蚀技术,包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀.从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发,深入地分析了湿法刻蚀的特性,对比了不同刻蚀方法的原理和效果.考虑到p-GaN的表面氧化层比较厚,接触电阻较大,能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀,重点阐述了p-GaN的传统湿法刻蚀和n-GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术.与传统化学刻蚀相比,光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景.结合GaN基半导体器件的制作,对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳.目前,湿法刻蚀和干法刻蚀可以有效结合.将来湿法刻蚀有希望代替干法刻蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	姚光锐	华南师范大学光电子材料与技术研究所	4	9	2.0	2.0
3	李军	华南师范大学光电子材料与技术研究所	34	75	5.0	6.0
4	杨昊	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	7	2.0	2.0
5	胡胜蓝	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	4	1.0	2.0