氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响

• 作者: 曾徵丹 杨德仁 陈加和 马向阳
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 单晶硅 氧沉淀 维氏硬度
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 758-761
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1|O614.41
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.031

摘要

研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响.研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	曾徵丹	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
4	陈加和	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	4	1.0	2.0