GaN HFET中的噪声

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 能带剪裁 负极化电荷 复合势垒 耦合沟道阱
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: "元器件"专题
• 页码范围: 125-131
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.003

摘要

从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理.用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声.从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果.建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联.运用正、负极化电荷剪裁了肖特基势垒、欧姆接触及内、外沟道的势垒和主阱及副阱阱宽和势垒高度,降低了栅流、欧姆接触和外沟道串联电阻,强化了沟道阱的量子限制,减弱了子带间散射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	30	154	7.0	11.0