fT为350GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究

• 作者: 付兴昌 冯志红 吕元杰 宋旭波 张力江 张彤 张志荣 房玉龙 李献杰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.01.004

摘要

采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(Ran)仅为0.41 Ω·mm,栅压1V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(fT)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.