基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件

• 作者: 冯志红 吕元杰 宋旭波 尹甲运 张志荣 房玉龙 蔡树军 谭鑫 郭红雨
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax)
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 641-645
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 1410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.001

摘要

基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的In-AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm,峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz,该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值.