Au纳米晶MIS结构存储性能研究

• 作者: 代月花 刘宁 柯导明 胡媛 陈军宁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失性半导体存储器 纳米晶浮栅 高k介质 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.019

摘要

从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响.基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质材料及其厚度对纳米晶浮栅结构存储性能的影响.同时,制作了MIS结构(Si/ZrO2/Au Ncs/SiO2/Al)的存储单元,针对该存储单元的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试,并对测试结果进行分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
4	胡媛	安徽大学电子科学与技术学院	10	58	4.0	7.0
5	刘宁	安徽大学电子科学与技术学院	2	3	1.0	1.0