4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析

• 作者: 吕红亮 张义门 张林 张玉明 车勇 郭辉
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: 碳化硅 金属半导体场效应晶体管 非线性 Volterra级数
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用Voherra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系.模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果.进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm.为实际器件的线性化设计提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	车勇	武警工程学院军械运输系	8	6	2.0	2.0
4	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	18	88	5.0	9.0
5	张林	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	9	61	3.0	7.0
6	郭辉	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	21	161	9.0	12.0