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ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究
ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究
作者:
何俊刚
傅刚
刘志宇
王莉
陈环
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO薄膜
热处理温度
紫外光灵敏度
晶界势垒
摘要:
以二水合醋酸锌为原料,采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜.用AFM观察表面形貌,通过测量真空条件下不同温度热处理后薄膜的I-V特性,拟合计算晶界势垒高度.研究了热处理温度对ZnO薄膜性能的影响.结果表明:经650 ℃热处理制备的ZnO薄膜样品具有较佳性能,结构均匀致密,粒径分布为20~32 nm.在10 V偏压和1.24×10~(-3) W/cm~2光强下,紫外光灵敏度为43.95;无光照条件下晶界势垒高度为0.079 eV.紫外光照使晶界势垒高度下降为0.011 eV,薄膜的紫外光灵敏度与势垒高度的相对变化密切相关.
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肖特基势垒
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
ZnO薄膜
热处理温度
紫外光灵敏度
晶界势垒
年,卷(期)
2009,(12)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
36-38
页数
3页
分类号
TM277
字数
1942字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2009.12.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
傅刚
广州大学物理与电子工程学院
53
174
8.0
11.0
2
王莉
广州大学物理与电子工程学院
5
5
1.0
2.0
3
陈环
广州大学物理与电子工程学院
27
89
6.0
8.0
4
刘志宇
广州大学物理与电子工程学院
20
30
4.0
4.0
5
何俊刚
广州大学物理与电子工程学院
2
5
1.0
2.0
传播情况
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引文网络
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同被引文献
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二级引证文献
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参考文献(0)
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参考文献(2)
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参考文献(0)
二级参考文献(4)
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参考文献(3)
二级参考文献(7)
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参考文献(3)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
热处理温度
紫外光灵敏度
晶界势垒
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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电子元件与材料2009年第5期
电子元件与材料2009年第4期
电子元件与材料2009年第3期
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