紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

• 作者: 刘宏伟 孙建平 徐爱兰 惠春
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 氧化锌基薄膜 溶胶–凝胶法 紫外光 气敏性能
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 3041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.04.004

摘要

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征.测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365 nm)照射后其电阻先减小后增大.在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析.