AIN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延

• 作者: 俞斐 吴军 张荣 梅琴 王荣华 葛瑞萍 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相淀积 4H-SiC薄膜 AIN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1209-1213
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 字数: 3037字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093605.1209

摘要

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3.