溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 王波 王生浩 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡 直流磁控溅射 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 717-719,723
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|TN305.92
• 字数: 3177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.05.004

摘要

采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大.在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω·cm的光电性能优良的ITO薄膜.