VLSI的电镀和化学机械抛光技术

• 作者: 叶兵 唐海霞 廖军和 高盼盼
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电镀 化学机械抛光 虚拟填充
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 机械与汽车工程
• 页码范围: 1378-1381
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2009.09.022

摘要

从0.13μm工艺节点开始,铜电镀(ECP)和化学机械抛光技术(CMP)成为VLSI(超大规模集成电路)多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺.铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均匀,形成互连RC延迟,影响芯片性能和良率;研究发现,铜CMP后的厚度变异不只受CMP影响,还受ECP后芯片厚度影响;文章介绍了ECP、CMP对铜CMP后厚度影响的实验研究,针对CMP后厚度不均匀性的解决方法,着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术,如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模型的金属填充等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶兵	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	68	299	10.0	15.0
2	高盼盼	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	8	2.0	2.0
3	唐海霞	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	0	0.0	0.0
4	廖军和	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	0	0.0	0.0