沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络

• 作者: 刘琨 富笑男 李新建 欧海峰 符建华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Au/硅纳米孔柱阵列 Au互连 浸渍技术
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 48-50
• 分类号: O484
• 字数: 2045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.09.014

摘要

采用浸溃技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA.测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60 min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0 nm和75.5 nm.无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物.说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	富笑男	河南工业大学理学院	21	35	4.0	5.0
2	符建华	河南工业大学理学院	17	32	3.0	5.0
3	欧海峰	河南工业大学理学院	13	27	4.0	5.0
4	刘琨	河南工业大学理学院	23	36	4.0	4.0