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摘要:
以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜.利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征.结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非晶态碳膜,其表面均匀、光滑,致密;且随着射频功率的提高,薄膜的平均晶粒直径由8.0 nm降为4.2 am,粗糙度由2.2 nm减为0.9 nm.
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文献信息
篇名 PECVD法制备类金刚石薄膜结构和表面形貌分析
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 类金刚石薄膜(DLC) PECVD法 薄膜结构 表面形貌
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目 研究与试测
研究方向 页码范围 37-39
页数 分类号 TM277
字数 2427字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.07.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苑进社 重庆师范大学物理学院 20 32 3.0 4.0
3 潘德芳 重庆师范大学物理学院 2 6 2.0 2.0
9 秦国平 重庆师范大学物理学院 8 40 3.0 6.0
13 刘颖丹 重庆师范大学物理学院 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
类金刚石薄膜(DLC)
PECVD法
薄膜结构
表面形貌
研究起点
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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