SiO2掺杂低温烧结PMMNS压电陶瓷的结构和性能

• 作者: 刘彭义 常鹏 祝兰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 压电陶瓷 PMMNS 低温烧结 机电性能
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TM282
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.08.005

摘要

采用固相二步合成法制备SiO2掺杂Pb(Mg1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01Zr0.45Ti0.45O3(PMMNS)压电陶瓷,探讨了不同SiO2掺杂量对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响.结果表明:在烧结温度为980℃时,可以得到纯钙钛矿结构PMMNS陶瓷.SiO2的加入,明显降低了PMMNS陶瓷的烧结温度.当SiO2的掺杂量为质量分数0.10%时,所得性能最佳:kp=0.51,d33=323 pC/N,Qm=1475,tanδ=0.003 8和εr=1762.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彭义	暨南大学物理系	53	370	10.0	18.0
2	常鹏	暨南大学物理系	5	6	1.0	2.0
3	祝兰	暨南大学物理系	5	5	1.0	1.0